IXFN27N80Q

IXFN27N80Q
Mfr. #:
IXFN27N80Q
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFN27N80Q Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFN27N80Q Datasheet
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
IXYS
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete / Caja:
SOT-227-4
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
800 V
Id - Corriente de drenaje continua:
27 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
320 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
520 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
HyperFET
Embalaje:
Tubo
Altura:
9.6 mm
Longitud:
38.2 mm
Serie:
IXFN27N80
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
25.07 mm
Marca:
IXYS
Otoño:
13 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
28 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
10
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
50 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
20 ns
Unidad de peso:
1.058219 oz
Tags
IXFN27, IXFN2, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ukat
N-Ch 800V 27A 520W 0,32R SOT227B
***pNet
N CH MOSFET, 800V, 27A, SOT-227B;
***ark
N Channel Mosfet, 800V, 27A, Sot-227B; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:27A; On Resistance Rds(On):0.32Ohm; Transistor Mounting:module; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFN27N80Q
DISTI # IXFN27N80Q-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$29.7850
IXFN27N80Q
DISTI # 14J1686
IXYS CorporationN CHANNEL MOSFET, 800V, 27A, SOT-227B,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:27A,Drain Source Voltage Vds:800V,On Resistance Rds(on):0.32ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4.5V,MSL:- RoHS Compliant: Yes8
  • 250:$23.3400
  • 100:$25.4400
  • 50:$26.2100
  • 25:$27.1100
  • 10:$28.0000
  • 5:$28.9000
  • 1:$29.7900
IXFN27N80Q
DISTI # 747-IXFN27N80Q
IXYS CorporationMOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$29.7900
  • 30:$27.3700
  • 50:$26.2100
  • 100:$25.4400
  • 200:$23.3400
IXFN27N80Q
DISTI # 4905593
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
RoHS: Compliant
8
  • 100:$41.0200
  • 10:$43.3500
  • 1:$44.1800
IXFN27N80Q
DISTI # 4905593
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B8
  • 10:£21.3600
  • 5:£21.6700
  • 1:£21.9800
Imagen Parte # Descripción
IXFN26N90

Mfr.#: IXFN26N90

OMO.#: OMO-IXFN26N90

MOSFET 900V 26A
IXFN20N120

Mfr.#: IXFN20N120

OMO.#: OMO-IXFN20N120

MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
IXFN23N100

Mfr.#: IXFN23N100

OMO.#: OMO-IXFN23N100

MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds
IXFN210N30P3

Mfr.#: IXFN210N30P3

OMO.#: OMO-IXFN210N30P3-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
IXFN210N30X3

Mfr.#: IXFN210N30X3

OMO.#: OMO-IXFN210N30X3-IXYS-CORPORATION

FET N-CHANNEL
IXFN220N20X3

Mfr.#: IXFN220N20X3

OMO.#: OMO-IXFN220N20X3-IXYS-CORPORATION

200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
IXFN240N25X3

Mfr.#: IXFN240N25X3

OMO.#: OMO-IXFN240N25X3-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
IXFN230N10

Mfr.#: IXFN230N10

OMO.#: OMO-IXFN230N10-IXYS-CORPORATION

MOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds
IXFN25N90

Mfr.#: IXFN25N90

OMO.#: OMO-IXFN25N90-IXYS-CORPORATION

MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds
IXFN20N120

Mfr.#: IXFN20N120

OMO.#: OMO-IXFN20N120-IXYS-CORPORATION

MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1500
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El precio actual de IXFN27N80Q es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
10
29,79 US$
297,90 US$
30
27,37 US$
821,10 US$
50
26,21 US$
1 310,50 US$
100
25,44 US$
2 544,00 US$
200
23,34 US$
4 668,00 US$
500
22,22 US$
11 110,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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