DMG1029SV-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 mA, 360 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.7 Ohms, 4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

0.3 nC, 0.28 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

450 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMG1029

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

80 mS, 50 mS

Otoño:

9.9 ns, 11.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.4 ns, 7.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15.7 ns, 10.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.9 ns, 5.5 ns

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

DMG1029, DMG102, DMG1, DMG