IXTY01N100D-TRL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Escribe:

Alto voltaje

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Marca:

IXYS

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

64 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

400 mA

Pd - Disipación de energía:

25 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 Ohms

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1000 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 4.5 V

Tags

IXTY01N100D, IXTY01N100, IXTY01N1, IXTY01, IXTY0, IXTY, IXT