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SI3435DV-T1-E3

SI3435DV-T1-E3
Mfr. #:
SI3435DV-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 4.8A 2W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI3435DV-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI3435DV-T1-E3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
Chips de IC
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI3435DV-T1
Unidad de peso
0.000705 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET
Paquete-Estuche
TSOP-6
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 P-Channel
Disipación de potencia Pd
1.1 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
45 ns
Hora de levantarse
45 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
4.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
73 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
90 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
18 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI3435, SI343, SI34, SI3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ser
P-Channel MOSFETs 12V 4.8A 2W
Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI3435DV-T1-E3
DISTI # 781-SI3435DV-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 4.8A 2W
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.3410
  • 6000:$0.3180
  • 9000:$0.3060
  • 24000:$0.2940
Imagen Parte # Descripción
SI3435DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3435DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-GE3

 MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
SI3435DV-T1-E3

Mfr.#: SI3435DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-E3

 MOSFET 12V 4.8A 2W
SI3435DV-T1

Mfr.#: SI3435DV-T1

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-1190

 4800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
SI3435DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3435DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-GE3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
SI3435DV-T1-E3

Mfr.#: SI3435DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-E3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 4.8A 2W
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3000
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El precio actual de SI3435DV-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,44 US$
0,44 US$
10
0,42 US$
4,19 US$
100
0,40 US$
39,69 US$
500
0,37 US$
187,45 US$
1000
0,35 US$
352,80 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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