NTLGD3502NT1G

NTLGD3502NT1G
Mfr. #:
NTLGD3502NT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3mm 60M
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NTLGD3502NT1G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NTLGD3502NT1G DatasheetNTLGD3502NT1G Datasheet (P4-P6)NTLGD3502NT1G Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
EN Semiconductor
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
DFN-6
Número de canales:
2 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
20 V
Id - Corriente de drenaje continua:
4.3 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
60 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
1.74 W
Configuración:
Doble
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Carrete
Altura:
0.87 mm
Longitud:
3 mm
Producto:
Pequeña señal MOSFET
Tipo de transistor:
2 N-Channel
Ancho:
3 mm
Marca:
EN Semiconductor
Otoño:
17.5 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
17.5 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
3000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
8.6 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
7 ns
Unidad de peso:
0.000744 oz
Tags
NTLGD35, NTLGD, NTLG, NTL
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***th Star Micro
NTLGD3502N: Power MOSFET 20V 5.8A 60 mOhm Dual N-Channel DFN6 3x3
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:4.3A; On Resistance, Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.7V ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, 20V, DFN6 3X3MM; Transistor Type:Enhancement; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:5.8A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:1.7V; Case Style:DFN; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:1453621; Power, Pd:1.74W; Voltage, Vds Max:20V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NTLGD3502NT1G
DISTI # NTLGD3502NT1GOSTR-ND
ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    NTLGD3502NT1G
    DISTI # NTLGD3502NT1GOSCT-ND
    ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      NTLGD3502NT1G
      DISTI # 863-NTLGD3502NT1G
      ON SemiconductorMOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3mm 60M
      RoHS: Compliant
      0
        NTLGD3502NT1GON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        RoHS: Compliant
        14990
        • 1000:$0.4200
        • 500:$0.4400
        • 100:$0.4600
        • 25:$0.4800
        • 1:$0.5200
        NTLGD3502NT1GON SemiconductorPower MOSFET2000
        • 1:$0.4000
        • 100:$0.4000
        • 500:$0.4000
        • 1000:$0.4000
        Imagen Parte # Descripción
        NTLGD3502NT2G

        Mfr.#: NTLGD3502NT2G

        OMO.#: OMO-NTLGD3502NT2G

        MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
        NTLGD3502NT1G

        Mfr.#: NTLGD3502NT1G

        OMO.#: OMO-NTLGD3502NT1G

        MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3mm 60M
        NTLGD3402PT1G

        Mfr.#: NTLGD3402PT1G

        OMO.#: OMO-NTLGD3402PT1G-1190

        Nuevo y original
        NTLGD3502N

        Mfr.#: NTLGD3502N

        OMO.#: OMO-NTLGD3502N-1190

        Nuevo y original
        NTLGD3502NT1G

        Mfr.#: NTLGD3502NT1G

        OMO.#: OMO-NTLGD3502NT1G-ON-SEMICONDUCTOR

        MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
        NTLGD3502NT2G

        Mfr.#: NTLGD3502NT2G

        OMO.#: OMO-NTLGD3502NT2G-ON-SEMICONDUCTOR

        RF Bipolar Transistors MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
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        Available
        En orden:
        3500
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