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NTLGD3502NT2G

NTLGD3502NT2G
Mfr. #:
NTLGD3502NT2G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NTLGD3502NT2G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
EN Semiconductor
categoria de producto
FET: matrices
Serie
NTLGD3502N
embalaje
Tape & Reel (TR)
Unidad de peso
0.000744 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
6-VDFN Exposed Pad
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
6-DFN (3x3)
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
1.74W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
480pF @ 10V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
4.3A, 3.6A
Rds-On-Max-Id-Vgs
60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
4nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
1.74 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
17.5 ns
Hora de levantarse
17.5 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
4.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
60 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
8.6 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
7 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
NTLGD35, NTLGD, NTLG, NTL
Service Guarantees

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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Dual N-Channel 20 V 60 mOhm 1.74 W Surface Mount Power MOSFET - DFN-6
***ark
Dual N Channel Mosfet, 20V, Dfn6
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 4.3A 6-Pin DFN T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NTLGD3502NT2G
DISTI # V36:1790_07285077		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.3A 6-Pin DFN T/R
RoHS: Compliant		0
    NTLGD3502NT2G
    DISTI # NTLGD3502NT2G-ND    		ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape & Reel (TR)    		Temporarily Out of Stock
    • 3000:$0.4851
    NTLGD3502NT2G
    DISTI # NTLGD3502NT2G    		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.3A 6-Pin DFN T/R - Bulk (Alt: NTLGD3502NT2G)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 715
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 7150:$0.4319
    • 3575:$0.4429
    • 2145:$0.4479
    • 1430:$0.4539
    • 715:$0.4569
    NTLGD3502NT2G
    DISTI # NTLGD3502NT2G    		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.3A 6-Pin DFN T/R - Tape and Reel (Alt: NTLGD3502NT2G)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Reel    		Americas - 0
    • 30000:$0.3879
    • 18000:$0.3979
    • 12000:$0.4029
    • 6000:$0.4089
    • 3000:$0.4109
    NTLGD3502NT2G
    DISTI # 863-NTLGD3502NT2G    		ON SemiconductorMOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
    RoHS: Compliant    		2979
    • 1:$1.0400
    • 10:$0.8820
    • 100:$0.6780
    • 500:$0.5990
    • 1000:$0.4730
    • 3000:$0.4190
    NTLGD3502NT2GON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
    RoHS: Compliant    		3000
    • 1000:$0.4600
    • 500:$0.4900
    • 100:$0.5100
    • 25:$0.5300
    • 1:$0.5700
    Imagen Parte # Descripción
    NTLGD3502NT2G

    Mfr.#: NTLGD3502NT2G

    OMO.#: OMO-NTLGD3502NT2G

    		 MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
    NTLGD3502NT1G

    Mfr.#: NTLGD3502NT1G

    OMO.#: OMO-NTLGD3502NT1G

    		 MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3mm 60M
    NTLGD3402PT1G

    Mfr.#: NTLGD3402PT1G

    OMO.#: OMO-NTLGD3402PT1G-1190

    		 Nuevo y original
    NTLGD3502N

    Mfr.#: NTLGD3502N

    OMO.#: OMO-NTLGD3502N-1190

    		 Nuevo y original
    NTLGD3502NT1G

    Mfr.#: NTLGD3502NT1G

    OMO.#: OMO-NTLGD3502NT1G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
    NTLGD3502NT2G

    Mfr.#: NTLGD3502NT2G

    OMO.#: OMO-NTLGD3502NT2G-ON-SEMICONDUCTOR

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    3500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de NTLGD3502NT2G es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    0,58 US$
    0,58 US$
    10
    0,55 US$
    5,53 US$
    100
    0,52 US$
    52,37 US$
    500
    0,49 US$
    247,30 US$
    1000
    0,47 US$
    465,50 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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