NTHD4N02FT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ChipFET-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

910 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.05 mm

Longitud:

3.05 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.65 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

6 S

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

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