IRF7464TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

730 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

9.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

1.1 S

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

SP001554292

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

IRF7464T, IRF7464, IRF746, IRF74, IRF7, IRF