IRFHS8342TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

19 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.35 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

4.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

2 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

18 S

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

5.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.9 ns

Parte # Alias:

SP001556608

Tags

IRFHS8342TRP, IRFHS83, IRFHS8, IRFHS, IRFH, IRF