ZXMN2B03E6TA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-26-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

40 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

14.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.3 mm

Longitud:

3.1 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

ZXMN2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.8 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

6.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.2 ns

Unidad de peso:

0.000529 oz

Tags

ZXMN2B03, ZXMN2B0, ZXMN2B, ZXMN2, ZXMN, ZXM