IXTY1R6N50D2-TRL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Escribe:

Modo de agotamiento

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Marca:

IXYS

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

41 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Pd - Disipación de energía:

100 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.3 Ohms

Hora de levantarse:

70 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 4.5 V

Tags

IXTY1R6N50D, IXTY1R6N5, IXTY1R6, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT