IXTY1R6N100D2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

27 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

100 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.22 mm

Serie:

IXTY1R6N100

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Modo de agotamiento MOSFET

Ancho:

6.73 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

0.65 S

Otoño:

41 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

65 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

70

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

27 ns

Unidad de peso:

0.012346 oz

Tags

IXTY1R6, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT