QS8K13TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSMT-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms, 20 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC, 20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

3 S, 3 S

Otoño:

7 ns, 7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns, 40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns, 35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 8 ns

Parte # Alias:

QS8K13

Tags

QS8K1, QS8K, QS8