SI4501BDY-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V, 8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.5 A, 6.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 mOhms, 27 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV, 450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 8 V

Qg - Carga de puerta:

25 nC, 42 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

4.5 W, 3.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI4

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

29 S, 24 S

Otoño:

10 ns, 14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

55 ns, 18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns, 34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns, 22 ns

Parte # Alias:

SI4501BDY-GE3

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

SI4501B, SI4501, SI450, SI45, SI4