SI4599DY-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.8 A, 6.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

35.5 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V, 1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

11.7 nC, 25 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W, 3.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

SI4

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

14 S, 22 S

Otoño:

9 ns, 9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns, 12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 7 ns

Parte # Alias:

SI4599DY-GE3

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

SI4599, SI459, SI45, SI4