EFC6611R-A-TF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

CSP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

27 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

120 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

EFC6611R

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

19 S

Kit de desarrollo:

-

Otoño:

17700 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

570 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

38000 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

80 ns

Unidad de peso:

0.002116 oz

Tags

EFC6611R-A, EFC6611, EFC661, EFC6, EFC