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EFC6612R-TF

EFC6612R-TF
Mfr. #:
EFC6612R-TF
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
EFC6612R-TF Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
EN Semiconductor
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
CSP-6
Número de canales:
2 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
20 V
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
4.2 mOhms, 4.2 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
500 mV
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
12 V
Qg - Carga de puerta:
27 nC, 27 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
2.5 W
Configuración:
Doble
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Carrete
Serie:
EFC6612R
Tipo de transistor:
2 N-channel
Marca:
EN Semiconductor
Transconductancia directa - Mín .:
4.7 S, 4.7 S
Otoño:
92 us, 92 us
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
640 ns, 640 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
5000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
11.8 us, 11.8 us
Tiempo típico de retardo de encendido:
30 ns, 30 ns
Tags
EFC6612, EFC661, EFC6, EFC
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
Power MOSFET, 20V, 5.1mΩ, 23A, Dual N-Channel
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin EFCP T/R
***ark
Nch+Nch 23A 20V 4.4M Ohm / Reel
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
EFC6612R-TF
DISTI # EFC6612R-TF-ND		ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 5000:$0.3658
EFC6612R-TF
DISTI # EFC6612R-TF		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin EFCP T/R - Tape and Reel (Alt: EFC6612R-TF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Reel		Americas - 0
  • 5000:$0.3259
  • 10000:$0.3239
  • 20000:$0.3199
  • 30000:$0.3159
  • 50000:$0.3079
EFC6612R-TFON Semiconductor 
RoHS: Not Compliant		2070000
  • 1000:$0.4100
  • 500:$0.4300
  • 100:$0.4500
  • 25:$0.4700
  • 1:$0.5100
EFC6612R-TF
DISTI # 863-EFC6612R-TF		ON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
RoHS: Compliant		4994
  • 1:$0.8300
  • 10:$0.7000
  • 100:$0.5380
  • 500:$0.4760
  • 1000:$0.3750
  • 5000:$0.3330
  • 10000:$0.3210
  • 25000:$0.3100
Imagen Parte # Descripción
TPD4E02B04DQAR

Mfr.#: TPD4E02B04DQAR

OMO.#: OMO-TPD4E02B04DQAR

 TVS Diodes / ESD Suppressors TPD4E02B04 4-Ch ESD Protection Diode
EFC3J018NUZTDG

Mfr.#: EFC3J018NUZTDG

OMO.#: OMO-EFC3J018NUZTDG

 MOSFET PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
EFC8811R-TF

Mfr.#: EFC8811R-TF

OMO.#: OMO-EFC8811R-TF

 MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
CRCW06037K68FKEAC

Mfr.#: CRCW06037K68FKEAC

OMO.#: OMO-CRCW06037K68FKEAC

 Thick Film Resistors - SMD 1/10W 7.68Kohms 1% Commercial Use
DX07S024WJ1R350

Mfr.#: DX07S024WJ1R350

OMO.#: OMO-DX07S024WJ1R350

 USB Connectors VERT MNT SMT RCPT USB Type C
DX07S024WJ1R350

Mfr.#: DX07S024WJ1R350

OMO.#: OMO-DX07S024WJ1R350-JAE-ELECTRONICS

 CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
TPD4E02B04DQAR

Mfr.#: TPD4E02B04DQAR

OMO.#: OMO-TPD4E02B04DQAR-TEXAS-INSTRUMENTS

 ESD Suppressor Diode Arrays 3.6V 10-Pin USON T/R
EFC8811R-TF

Mfr.#: EFC8811R-TF

OMO.#: OMO-EFC8811R-TF-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET 2N-CH 6CSP
EFC3J018NUZTDG

Mfr.#: EFC3J018NUZTDG

OMO.#: OMO-EFC3J018NUZTDG-ON-SEMICONDUCTOR

 Dual N-Channel Power MOSFET
CRCW06037K68FKEAC

Mfr.#: CRCW06037K68FKEAC

OMO.#: OMO-CRCW06037K68FKEAC-VISHAY-DALE

 D11/CRCW0603-C 100 7K68 1% ET1
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1987
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,83 US$
0,83 US$
10
0,70 US$
7,00 US$
100
0,54 US$
53,80 US$
500
0,48 US$
238,00 US$
1000
0,38 US$
375,00 US$
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