CSD88539ND

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

28 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

7.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

CSD88539ND

Tipo de transistor:

2 N-Channel Power MOSFET

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

CSD8853, CSD885, CSD88, CSD8, CSD