BSS806NEH6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

41 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

1.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

BSS806

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

9 S

Otoño:

3.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns

Parte # Alias:

BSS806NE H6327 SP000999336

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

BSS806NEH, BSS806NE, BSS806, BSS80, BSS8, BSS