IPP041N12N3GXK

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

120 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

211 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

83 S

Otoño:

21 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

52 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

35 ns

Parte # Alias:

G IPP041N12N3 IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IPP041N12N3, IPP041N1, IPP041, IPP04, IPP0, IPP