OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hola, regístrateMi cuenta
0 Carro

SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4830CDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4830CDY-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4830CDY-T1-E3 DatasheetSI4830CDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI4830CDY-T1-E3 Datasheet (P7-P9)SI4830CDY-T1-E3 Datasheet (P10-P12)SI4830CDY-T1-E3 Datasheet (P13-P14)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
Chips de IC
Serie
PEQUEÑO PIE
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI4830CDY-E3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Dual con diodo Schottky
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Potencia máxima
2.9W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
950pF @ 15V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 1mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
25nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
12 ns
Hora de levantarse
12 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
5.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
20 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
18 ns 18 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
17 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI4830CDY-T, SI4830C, SI4830, SI483, SI48, SI4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
*** Source Electronics
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
***
DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:8000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4830CDY-T1-E3
DISTI # SI4830CDY-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.5390
SI4830CDY-T1-E3
DISTI # SI4830CDY-T1-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI4830CDY-T1-E3
    DISTI # SI4830CDY-T1-E3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI4830CDY-T1-E3
      DISTI # 781-SI4830CDY-E3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
      RoHS: Compliant      		0
      • 1:$1.2300
      • 10:$1.0100
      • 100:$0.7740
      • 500:$0.6660
      • 1000:$0.5840
      SI4830CDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
      RoHS: Compliant      		Americas -
        Imagen Parte # Descripción
        SI4830CDY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4830CDY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-T1-GE3

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
        SI4830CDY-T1-E3

        Mfr.#: SI4830CDY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-T1-E3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
        SI4830CDY

        Mfr.#: SI4830CDY

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-1190

        		 Nuevo y original
        SI4830CDY-T1

        Mfr.#: SI4830CDY-T1

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-T1-1190

        		 Nuevo y original
        SI4830CDY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4830CDY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4830CDY-T1-GE3-VISHAY

        		 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
        Disponibilidad
        Valores:
        Available
        En orden:
        1000
        Ingrese la cantidad:
        El precio actual de SI4830CDY-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
        Precio de referencia (USD)
        Cantidad
        Precio unitario
        Ext. Precio
        1
        0,81 US$
        0,81 US$
        10
        0,77 US$
        7,68 US$
        100
        0,73 US$
        72,77 US$
        500
        0,69 US$
        343,60 US$
        1000
        0,65 US$
        646,80 US$
        Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
        Empezar con
        Top