DMT6009LJ3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

74.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

33.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

83.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

15.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Tags

DMT6009, DMT600, DMT60, DMT6, DMT