2SB1201S-E

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

150 mV, - 300 mV

Corriente máxima del colector de CC:

4 A, - 4 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

150 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2SB1201

Embalaje:

A granel

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

2 A

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

2SB1201S, 2SB1201, 2SB120, 2SB12, 2SB1, 2SB