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ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA
Mfr. #:
ZXMHC10A07T8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
Darlington Transistors MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
ZXMHC10A07T8TA Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
ZXMHC10A07T8TA más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Diodos incorporados
categoria de producto
FET: matrices
Serie
ZXMHC10
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SOT-223-8
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
4 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
SM8
Configuración
Medio puente
Tipo FET
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Potencia máxima
1.3W
Tipo transistor
2 N-Channel 2 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
100V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
138pF @ 60V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
1A, 800mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
2.9nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1.3 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
2.1 ns 3.3 ns
Hora de levantarse
1.5 ns 2.1 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
1.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
700 mOhms 1 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N Canal P
Tiempo de retardo de apagado típico
4.1 ns 5.9 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
1.8 ns 1.6 ns
Qg-Gate-Charge
2.9 nC 3.5 nC
Transconductancia directa-Mín.
1.6 S 1.2 S
Modo de canal
Mejora
Tags
ZXMHC1, ZXMHC, ZXMH, ZXM
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
In a Pack of 5, ZXMHC10A07T8TA Quad N/P-Channel MOSFET, 1.1 A, 800 mA, 100 V, 8-Pin SM Diodes Inc
***C
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A 8-Pin SM8 T/R Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A 8-Pin SM8 T/R
***et Europe
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A 8-Pin SM8 T/R
***ical
Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R
***ied Electronics & Automation
100V Enhancement MOSFET H-Bridge SM8
***ure Electronics
MOSFET BVDSS: 61V~100V SM-8 T&R 1K
***i-Key
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
***ronik
H-Br 100V 1A 1700mOhm SM-8
Power MOSFETs
Diodes Inc. continues to expand its portfolio of power MOSFETs with new N- and P-channel devices with breakdown voltages up to 450V and a wide range of package options. The Diodes Inc. MOSFET portfolio is ideally suited to a range of applications, including DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
ZXMHC10A07T8TA
DISTI # ZXMHC10A07T8CT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		10735In Stock
  • 500:$1.0905
  • 100:$1.4021
  • 10:$1.7450
  • 1:$1.9300
ZXMHC10A07T8TA
DISTI # ZXMHC10A07T8DKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		10735In Stock
  • 500:$1.0905
  • 100:$1.4021
  • 10:$1.7450
  • 1:$1.9300
ZXMHC10A07T8TA
DISTI # ZXMHC10A07T8TR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		9000In Stock
  • 1000:$0.8772
ZXMHC10A07T8TA
DISTI # ZXMHC10A07T8TA		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N/P-CH 100V 1.1A/0.9A 8-Pin SM8 T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMHC10A07T8TA)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 1000:$0.8289
  • 2000:$0.7889
  • 4000:$0.7519
  • 6000:$0.7179
  • 10000:$0.7019
ZXMHC10A07T8TA
DISTI # 70550623		Diodes Incorporated100V Enhancement MOSFET H-Bridge SM8
RoHS: Compliant		0
  • 25:$1.3700
  • 50:$1.3430
  • 125:$1.3020
  • 250:$1.2470
  • 625:$1.1650
ZXMHC10A07T8TA
DISTI # 522-ZXMHC10A07T8TA		Diodes IncorporatedMOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
RoHS: Compliant		1535
  • 1:$1.6200
  • 10:$1.3800
  • 100:$1.1000
  • 500:$0.9630
  • 1000:$0.7980
ZXMHC10A07T8TA
DISTI # 8231873P		Zetex / Diodes Inc100V ENHANCEMENT MOSFET H-BRIDGE SM8, RL660
  • 25:£0.5000
ZXMHC10A07T8TADiodes Incorporated 
RoHS: Compliant		Europe - 405
    ZXMHC10A07T8TAZetex / Diodes Inc 1666
      Imagen Parte # Descripción
      ZXMHC10A07N8TC

      Mfr.#: ZXMHC10A07N8TC

      OMO.#: OMO-ZXMHC10A07N8TC

      		 MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
      ZXMHC10A07T8TA

      Mfr.#: ZXMHC10A07T8TA

      OMO.#: OMO-ZXMHC10A07T8TA

      		 MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
      ZXMHC10A07N8TC

      Mfr.#: ZXMHC10A07N8TC

      OMO.#: OMO-ZXMHC10A07N8TC-DIODES

      		 Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.85A Automotive 8-Pin SO T/R
      ZXMHC10A07T8TC

      Mfr.#: ZXMHC10A07T8TC

      OMO.#: OMO-ZXMHC10A07T8TC-1190

      		 Nuevo y original
      ZXMHC10A07T8TA

      Mfr.#: ZXMHC10A07T8TA

      OMO.#: OMO-ZXMHC10A07T8TA-DIODES

      		 Darlington Transistors MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de ZXMHC10A07T8TA es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      1,05 US$
      1,05 US$
      10
      1,00 US$
      10,00 US$
      100
      0,95 US$
      94,76 US$
      500
      0,89 US$
      447,45 US$
      1000
      0,84 US$
      842,30 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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