ZXMHC10A07N8TC

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

4 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A, 850 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

700 mOhms, 1.45 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

2.9 nC, 3.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

870 mW

Configuración:

Patio

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

ZXMHC10

Tipo de transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

1.6 S, 1.2 S

Otoño:

2.1 ns, 3.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.5 ns, 2.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4.1 ns, 5.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1.8 ns, 1.6 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMHC1, ZXMHC, ZXMH, ZXM