FDMS8090

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A, 8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 mOhms, 20 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

59 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Power Stage PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

6 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

FDMS8090

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

24 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10.6 ns

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

FDMS80, FDMS8, FDMS, FDM