PMDT290UCEH

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-666-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

800 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

380 mOhms, 850 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

0.5 V, - 1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

0.68 nC, 1.14 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1090 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

1.6 S, 610 mS

Otoño:

31 ns, 72 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns, 30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

86 ns, 80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns, 18 ns

Tags

PMDT290UCE, PMDT290UC, PMDT2, PMDT, PMD