ZXMHC6A07N8TC

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

4 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.8 A, 1.42 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

250 mOhms, 400 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

3.2 nC, 5.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.87 W

Configuración:

Patio

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

ZXMHC6

Tipo de transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

2.3 S, 1.8 S

Otoño:

2 ns, 5.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.4 ns, 2.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4.9 ns, 13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1.8 ns, 1.6 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMHC6, ZXMHC, ZXMH, ZXM