TK31E60X,S1X

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

73 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

65 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

230 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

DTMOSIV

Altura:

15.1 mm

Longitud:

10.16 mm

Serie:

TK31E60X

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.45 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

130 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

55 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

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TK31E60X,S, TK31E60X, TK31E, TK31, TK3