SIZ980DT-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAIR-6x5-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A, 60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V, 1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 16 V, 20 V

Qg - Carga de puerta:

18 nC, 77 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

20 W, 66 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

TAMAÑO

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

80 S, 155 S

Otoño:

10 ns, 10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

65 ns, 75 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns, 35 ns

Tags

SIZ9, SiZ