SD56120M

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

14 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

13 dB

Potencia de salida:

120 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

M252

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Doble

Altura:

5.33 mm

Longitud:

22.05 mm

Frecuencia de operación:

1 GHz

Serie:

SD56120

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

9.91 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

3 S

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

236 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

60

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Tags

SD5612, SD561, SD56, SD5