DMS3014SFGQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI3333-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

45.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

6.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

24.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.5 ns

Tags

DMS3014SF, DMS3014, DMS301, DMS30, DMS3, DMS