SISS12DN-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-1212-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.98 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, - 16 V

Qg - Carga de puerta:

89 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

65.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET, PowerPAK

Embalaje:

Carrete

Serie:

SIS

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

151 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Tags

SISS1, SISS, SIS