DMN80H2D0SCTI

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

ITO-220AB-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

35.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

41 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

42.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

104 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20.5 ns

Unidad de peso:

0.065257 oz

Tags

DMN8, DMN