FDPC1002S

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-33-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.3 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC, 60 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W, 2 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

97 S, 231 S

Otoño:

2 ns, 4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns, 5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns, 38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 13 ns

Unidad de peso:

0.007327 oz

Tags

FDPC1, FDPC, FDP