SISS61DN-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SiSS61DN-T1-GE3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

- 111.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 0.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

154 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Vishay / Siliconix

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Tags

SISS6, SISS, SIS