NTGS1135PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

1.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

1.2 S

Otoño:

3.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

128 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

NTGS1, NTGS, NTG