OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Carro

C2M0280120

C2M0280120
Mfr. #:
C2M0280120
Fabricante:
Cree Inc
Descripción:
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
C2M0280120 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Cree Inc.
categoria de producto
FET - Single
Serie
Z-FET
embalaje
Tubo
Unidad de peso
1.340411 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Nombre comercial
Z-FET
Paquete-Estuche
TO-247-3
Tecnología
Sic
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
A través del orificio
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-247-3
Configuración
Único
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
62.5W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
1200V (1.2kV)
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
259pF @ 1000V
Función FET
Carburo de silicio (SiC)
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
10A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs-th-Max-Id
2.8V @ 1.25mA (Typ)
Puerta-Carga-Qg-Vgs
20.4nC @ 20V
Disipación de potencia Pd
62.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
9.9 ns
Hora de levantarse
7.6 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
- 10 V to + 25 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
10 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2.8 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
280 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
10.8 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
5.2 ns
Qg-Gate-Charge
5.6 nC
Transconductancia directa-Mín.
2.8 S
Modo de canal
Mejora
Tags
C2M0, C2M
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
C2M0280120D
DISTI # V36:1790_06265415		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		170
  • 25:$4.3900
  • 10:$4.8750
  • 1:$5.9576
C2M0280120D
DISTI # V99:2348_06265415		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		86
  • 10:$4.8830
  • 1:$5.9576
C2M0280120D
DISTI # C2M0280120D-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		16158In Stock
  • 100:$5.4131
  • 1:$5.4300
KIT8020-CRD-8FF1217P-1
DISTI # KIT8020-CRD-8FF1217P-1-ND		WolfspeedEVAL KIT PCB 2-MOSFET 2-SIC DRVR
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1
Container: Box		144In Stock
  • 1:$248.7500
C2M0280120D
DISTI # 29424048		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		1043
  • 30:$4.8255
C2M0280120D
DISTI # 30990506		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		170
  • 2:$5.9576
C2M0280120D
DISTI # 30729731		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		86
  • 2:$5.9576
C2M0280120D
DISTI # 98Y6013		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-247 ROHS COMPLIANT: YES15
  • 500:$5.0200
  • 250:$5.1500
  • 100:$5.2700
  • 50:$5.3300
  • 25:$5.5100
  • 10:$5.8200
  • 1:$6.1900
C2M0280120D
DISTI # 941-C2M0280120D		Cree, Inc.MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
RoHS: Compliant		4933
  • 1:$5.4300
  • 100:$5.2200
  • 500:$4.9700
C2M0280120D
DISTI # 9158820		Cree, Inc.N-CHAN SIC MOSFET 1200V 10A TO247, PK26
  • 120:£4.4700
  • 60:£4.5850
  • 30:£4.7700
  • 10:£4.8950
  • 2:£5.1050
C2M0280120D
DISTI # C2M0280120D		WolfspeedTransistor: N-MOSFET,SiC,unipolar,1.2kV,10A,62.5W,TO247-326
  • 30:$6.0100
  • 10:$6.4500
  • 3:$7.4300
  • 1:$8.4100
C2M0280120D
DISTI # C2M0280120D		WolfspeedSILICON CARBIDE MOSFETS
RoHS: Compliant		2649
  • 1:$5.3200
  • 11:$5.1600
  • 51:$4.9400
C2M0280120D
DISTI # 2630831		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-247
RoHS: Compliant		634
  • 1:$9.0600
C2M0280120D
DISTI # 2630831		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-247
RoHS: Compliant		726
  • 100:£4.2400
  • 50:£4.2800
  • 10:£4.3100
  • 5:£4.3500
  • 1:£4.8200
Imagen Parte # Descripción
C2M0280120D

Mfr.#: C2M0280120D

OMO.#: OMO-C2M0280120D

 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
C2M0280120

Mfr.#: C2M0280120

OMO.#: OMO-C2M0280120-1190

 Nuevo y original
C2M0280120D

Mfr.#: C2M0280120D

OMO.#: OMO-C2M0280120D-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de C2M0280120 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,00 US$
0,00 US$
10
0,00 US$
0,00 US$
100
0,00 US$
0,00 US$
500
0,00 US$
0,00 US$
1000
0,00 US$
0,00 US$
Empezar con
Top