T1G2028536-FS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Qorvo

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

18 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

36 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

145 V

Id - Corriente de drenaje continua:

24 A

Potencia de salida:

260 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

48 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 250 C

Pd - Disipación de energía:

288 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

2 GHz

Producto:

Transistor de potencia RF

Serie:

T1G

Escribe:

GaN SiC HEMT

Marca:

Qorvo

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

1110346

Tags

T1G2028536, T1G2, T1G