SSM3J15FU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

SSM3J15

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

175 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

65 ns

Unidad de peso:

0.000176 oz

Tags

SSM3J15FU, SSM3J15F, SSM3J15, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM