GA05JT03-46

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor GeneSiC

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-46-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

300 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

620 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

14.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 225 C

Pd - Disipación de energía:

20 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor GeneSiC

Otoño:

12.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Tags

GA05J, GA05, GA0