DMG6301UDW-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

240 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.8 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

850 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

360 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

370 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerDI

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMG6301

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

1 S

Otoño:

2.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.9 ns

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

DMG63, DMG6, DMG