DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13
Mfr. #:
DMG6301UDW-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
DMG6301UDW-13 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Diodos incorporados
categoria de producto
FET: matrices
Serie
DMG6301
embalaje
Tape & Reel (TR)
Unidad de peso
0.000212 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
PowerDI
Paquete-Estuche
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
SOT-363
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
300mW
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
25V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
27.9pF @ 10V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
240mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
0.36nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
370 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
2.3 ns
Hora de levantarse
1.8 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
240 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
0.85 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
3.8 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
6.6 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
2.9 ns
Qg-Gate-Charge
0.36 nC
Transconductancia directa-Mín.
1 S
Modo de canal
Mejora
Tags
DMG63, DMG6, DMG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
***et
Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
***ure Electronics
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
DMG6301UDW-13
DISTI # DMG6301UDW-13-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
RoHS: Compliant
Min Qty: 10000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 10000:$0.0639
DMG6301UDW-13
DISTI # DMG6301UDW-13
Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R - Tape and Reel (Alt: DMG6301UDW-13)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 10000
Container: Reel
Americas - 0
  • 10000:$0.0437
  • 20000:$0.0416
  • 40000:$0.0397
  • 60000:$0.0379
  • 100000:$0.0370
DMG6301UDW-7
DISTI # 621-DMG6301UDW7
Diodes IncorporatedMOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.4100
  • 10:$0.2620
  • 100:$0.1130
  • 1000:$0.0870
  • 3000:$0.0660
DMG6301UDW-13
DISTI # 621-DMG6301UDW-13
Diodes IncorporatedMOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.4100
  • 10:$0.2620
  • 100:$0.1130
  • 1000:$0.0870
  • 2500:$0.0660
  • 10000:$0.0590
Imagen Parte # Descripción
DMG6301UDW-7

Mfr.#: DMG6301UDW-7

OMO.#: OMO-DMG6301UDW-7

MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
DMG6301UDW-13

Mfr.#: DMG6301UDW-13

OMO.#: OMO-DMG6301UDW-13

MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
DMG6301UDW-7-F

Mfr.#: DMG6301UDW-7-F

OMO.#: OMO-DMG6301UDW-7-F-1190

Nuevo y original
DMG6301UDW-13

Mfr.#: DMG6301UDW-13

OMO.#: OMO-DMG6301UDW-13-DIODES

MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
DMG6301UDW-7

Mfr.#: DMG6301UDW-7

OMO.#: OMO-DMG6301UDW-7-DIODES

MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3500
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,06 US$
0,06 US$
10
0,05 US$
0,53 US$
100
0,05 US$
5,00 US$
500
0,05 US$
23,60 US$
1000
0,04 US$
44,40 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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