IRFH5106TR2PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

21 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

50 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.6 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.83 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

82 S

Otoño:

9.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001551906

Tags

IRFH5106, IRFH510, IRFH51, IRFH5, IRFH, IRF