PMGD175XNEX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

950 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

252 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

750 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

1.05 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

390 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

3.5 S

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

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PMGD175XNE, PMGD17, PMGD1, PMGD, PMG