SQ3987EV-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

85 mOhms, 85 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

12.2 nC, 12.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.67 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ3987EV

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

4.2 S, 4.2 S

Otoño:

2.2 ns, 2.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.4 ns, 2.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18.4 ns, 18.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.6 ns, 6.6 ns

Unidad de peso:

0.001552 oz

Tags

SQ398, SQ39, SQ3