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NVMFS5C612NLT1G

NVMFS5C612NLT1G
Mfr. #:
NVMFS5C612NLT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NVMFS5C612NLT1G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NVMFS5C612NLT1G DatasheetNVMFS5C612NLT1G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
EN Semiconductor
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
SO-FL-8
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
60 V
Id - Corriente de drenaje continua:
235 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
1.2 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
1.2 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
91 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
167 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Calificación:
AEC-Q101
Embalaje:
Carrete
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
EN Semiconductor
Transconductancia directa - Mín .:
151 S
Otoño:
18 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
51 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
1500
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
47 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
19 ns
Unidad de peso:
0.003781 oz
Tags
NVMFS5C61, NVMFS5C6, NVMFS5C, NVMFS5, NVMFS, NVMF, NVM
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mΩ 1500 / Tape & Reel
***ical
Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 60V 235A 8-Pin SO-FL T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
***ark
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, 250A, Dfn; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:250A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.00113Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 250A, DFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:250A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.00113ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:167W; Transistor Case Style:DFN; No. of Pins:5Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
***nell
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 250A, DFN; Biegunowość tranzystora:Kanał N; Prąd ciągły Id drenu:250A; Napięcie drenu / źródła Vds:60V; Rezystancja przewodzenia Rds(on):0.00113ohm; Napięcie Vgs pomiaru Rds(on):10V; Napięcie progowe Vgs:2V; Straty mocy Pd:167W; Rodzaj obudowy tranzystora:DFN; Liczba pinów:5piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:175°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:AEC-Q101; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:MSL 1 - nieograniczone; Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NVMFS5C612NLT1G
DISTI # V36:1790_07317249		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
RoHS: Compliant		0
    NVMFS5C612NLT1G
    DISTI # NVMFS5C612NLT1G-ND    		ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1500
    Container: Tape & Reel (TR)    		Limited Supply - Call
      NVMFS5C612NLT1G
      DISTI # NVMFS5C612NLT1G      		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 235A 8-Pin SO-FL T/R (Alt: NVMFS5C612NLT1G)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1500
      Container: Tape and Reel      		Asia - 0
      • 75000:$1.1995
      • 37500:$1.2195
      • 15000:$1.2615
      • 7500:$1.3066
      • 4500:$1.3550
      • 3000:$1.4071
      • 1500:$1.4634
      NVMFS5C612NLT1G
      DISTI # NVMFS5C612NLT1G      		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 235A 8-Pin SO-FL T/R - Tape and Reel (Alt: NVMFS5C612NLT1G)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1500
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 15000:$0.9029
      • 9000:$0.9259
      • 6000:$0.9379
      • 3000:$0.9499
      • 1500:$0.9559
      NVMFS5C612NLT1G
      DISTI # NVMFS5C612NLT1G      		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 235A 8-Pin SO-FL T/R (Alt: NVMFS5C612NLT1G)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1500
      Container: Tape and Reel      		Europe - 0
      • 15000:€0.8649
      • 9000:€0.9269
      • 6000:€0.9979
      • 3000:€1.0809
      • 1500:€1.2979
      NVMFS5C612NLT1G
      DISTI # 07AH4429      		ON SemiconductorMOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 250A, DFN,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:250A,Drain Source Voltage Vds:60V,On Resistance Rds(on):0.00113ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2V,Power RoHS Compliant: Yes0
      • 1000:$1.1600
      • 500:$1.2300
      • 250:$1.3500
      • 100:$1.5700
      • 50:$1.8100
      • 25:$2.0200
      • 10:$2.2400
      • 1:$2.5400
      NVMFS5C612NLT1G
      DISTI # 863-NVMFS5C612NLT1G      		ON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
      RoHS: Compliant      		3000
      • 1:$2.1500
      • 10:$1.8300
      • 100:$1.4600
      • 500:$1.2800
      • 1000:$1.0600
      • 1500:$0.9880
      • 4500:$0.9520
      NVMFS5C612NLT1G
      DISTI # 3003984      		ON SemiconductorMOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 250A, DFN
      RoHS: Compliant      		0
      • 1000:$1.5200
      • 500:$1.6500
      • 250:$1.8300
      • 100:$2.0200
      • 10:$2.2800
      • 1:$2.6000
      NVMFS5C612NLT1G
      DISTI # 3003984      		ON SemiconductorMOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 250A, DFN0
      • 500:£0.9300
      • 250:£1.0300
      • 100:£1.1000
      • 10:£1.3300
      • 1:£1.7200
      Imagen Parte # Descripción
      SMA6F31A

      Mfr.#: SMA6F31A

      OMO.#: OMO-SMA6F31A

      		 TVS Diodes / ESD Suppressors DFD PROTECTION
      IS61WV51216EEBLL-10BLI

      Mfr.#: IS61WV51216EEBLL-10BLI

      OMO.#: OMO-IS61WV51216EEBLL-10BLI

      		 SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
      FDMT80060DC

      Mfr.#: FDMT80060DC

      OMO.#: OMO-FDMT80060DC

      		 MOSFET 60V Nch Dual Cool Power Trench MOSFET
      TP2104K1-G

      Mfr.#: TP2104K1-G

      OMO.#: OMO-TP2104K1-G

      		 MOSFET 40V 6Ohm
      STM32L412KBU6

      Mfr.#: STM32L412KBU6

      OMO.#: OMO-STM32L412KBU6

      		 ARM Microcontrollers - MCU Ultra-low-power Arm Cortex -M4 32-bit MCU+FPU, 100DMIPS up to 128KB Flash, 40KB SRAM, analog, ext. SMPS
      LM27313XMFX/NOPB

      Mfr.#: LM27313XMFX/NOPB

      OMO.#: OMO-LM27313XMFX-NOPB

      		 Switching Voltage Regulators 1.6 MHz Boost Converter With 30V Interna
      ACM2012H-900-2P-T03

      Mfr.#: ACM2012H-900-2P-T03

      OMO.#: OMO-ACM2012H-900-2P-T03-1190

      		 Inductor Common Mode Choke 410nH 90Ohm 300mA 300mOhm Wirewound 4-Pin 0805 T/R (Alt: ACM2012H-900-2P-T03)
      SMA6F31A

      Mfr.#: SMA6F31A

      OMO.#: OMO-SMA6F31A-STMICROELECTRONICS

      		 600 W TVS IN SMA FLAT
      STM32L412KBU6

      Mfr.#: STM32L412KBU6

      OMO.#: OMO-STM32L412KBU6-STMICROELECTRONICS

      		 IC MCU 32BIT 128KB FLASH 32QFPN
      TP2104K1-G

      Mfr.#: TP2104K1-G

      OMO.#: OMO-TP2104K1-G-MICROCHIP-TECHNOLOGY

      		 MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
      Disponibilidad
      Valores:
      279
      En orden:
      2262
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de NVMFS5C612NLT1G es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      2,15 US$
      2,15 US$
      10
      1,83 US$
      18,30 US$
      100
      1,46 US$
      146,00 US$
      500
      1,28 US$
      640,00 US$
      1000
      1,06 US$
      1 060,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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