IRFSL5620PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

24 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

77.5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

25 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

144 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.45 mm

Longitud:

10.2 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

37 S

Otoño:

9.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.6 ns

Parte # Alias:

SP001552384

Unidad de peso:

0.084199 oz

Tags

IRFSL5, IRFSL, IRFS, IRF