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IRFSL5615PBF

IRFSL5615PBF
Mfr. #:
IRFSL5615PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IRFSL5615PBF Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRFSL5615PBF DatasheetIRFSL5615PBF Datasheet (P4-P6)IRFSL5615PBF Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TO-252-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
150 V
Id - Corriente de drenaje continua:
33 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
34.5 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
26 nC
Pd - Disipación de energía:
144 W
Configuración:
Único
Embalaje:
Tubo
Altura:
2.3 mm
Longitud:
6.5 mm
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
6.22 mm
Marca:
Infineon Technologies
Tipo de producto:
MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
1000
Subcategoría:
MOSFET
Parte # Alias:
SP001567730
Unidad de peso:
0.139332 oz
Tags
IRFSL5, IRFSL, IRFS, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ineon SCT
Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
***ure Electronics
Single N-Channel 150 V 42 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:33mA; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):34.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:144W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IRFSL5615PBF
DISTI # IRFSL5615PBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 150V 33A TO-262
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.2342
IRFSL5615PBF
DISTI # 70019767		Infineon Technologies AGIRFSL5615PBF N-channel MOSFET Transistor,33 A,150 V,3-Pin TO-262
RoHS: Compliant		0
  • 450:$1.9300
IRFSL5615PBF
DISTI # 942-IRFSL5615PBF		Infineon Technologies AGMOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.2800
  • 10:$1.9400
  • 100:$1.5500
  • 500:$1.3600
  • 1000:$1.1300
IRFSL5615PBF
DISTI # 9075141P		Infineon Technologies AGMOSFET N-CHANNEL HEXFET 150V 33A TO262, TU10
  • 100:£1.2260
  • 500:£1.1190
  • 1000:£0.9400
  • 2500:£0.8980
Imagen Parte # Descripción
IRFSL5615PBF

Mfr.#: IRFSL5615PBF

OMO.#: OMO-IRFSL5615PBF

 MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
IRFSL5620PBF

Mfr.#: IRFSL5620PBF

OMO.#: OMO-IRFSL5620PBF

 MOSFET Audio MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC
IRFSL5620PBF

Mfr.#: IRFSL5620PBF

OMO.#: OMO-IRFSL5620PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 200V 24A TO262
IRFSL59N10D

Mfr.#: IRFSL59N10D

OMO.#: OMO-IRFSL59N10D-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
IRFSL52N15D

Mfr.#: IRFSL52N15D

OMO.#: OMO-IRFSL52N15D-1190

 Nuevo y original
IRFSL52N15DPBF

Mfr.#: IRFSL52N15DPBF

OMO.#: OMO-IRFSL52N15DPBF-1190

 Nuevo y original
IRFSL5615PBF

Mfr.#: IRFSL5615PBF

OMO.#: OMO-IRFSL5615PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3500
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
2,27 US$
2,27 US$
10
1,93 US$
19,30 US$
100
1,54 US$
154,00 US$
500
1,35 US$
675,00 US$
1000
1,12 US$
1 120,00 US$
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