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SI4622DY-T1-E3

SI4622DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4622DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4622DY-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4622DY-T1-E3 DatasheetSI4622DY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI4622DY-T1-E3 Datasheet (P7-P9)SI4622DY-T1-E3 Datasheet (P10-P12)SI4622DY-T1-E3 Datasheet (P13-P14)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
SkyFETR, trincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
3.3W, 3.1W
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
2458pF @ 15V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
16 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 1mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
60nC @ 10V
Tags
SI4622D, SI4622, SI462, SI46, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 8A/6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4622DY-T1-E3
DISTI # SI4622DY-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI4622DY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4622DY-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      SI4622DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4622DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4622DY-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4622DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4622DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4622DY-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
      SI4622DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4622DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4622DY-T1-E3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
      SI4622DY-T1-E3 GE3

      Mfr.#: SI4622DY-T1-E3 GE3

      OMO.#: OMO-SI4622DY-T1-E3-GE3-1190

      		 Nuevo y original
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      1000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SI4622DY-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
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      0,00 US$
      10
      0,00 US$
      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
      0,00 US$
      0,00 US$
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